NCE01P13K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 MP4播放器、 复印机、 视频线材、 功放器、 路由器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE01P13K
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOSFETs P channel Vdss=100V Id=13A Pd=40W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 路由器、 电子助听器、 饮水机、 摄像头、 3D打印机、 电子手表、 安防摄像头、 蓝牙耳机 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE60ND18G | N沟道增强型功率MOSFET VDS=60V ID=18A DFN8_4.9X5.75MM_EP |
| NCE3080KA | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=80A TO252-2L |
| NCEP30T21GU | 超级沟槽功率MOSFET N沟道 30V 210A 180W |
| NCEP40T11G | N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：75W |
| NCE3020Q | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：20W |
| NCEP026N10 | N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：200A 功率(Pd)：300W |
| NCE6005AR | N沟道增强型功率MOSFET SOT223-3L |
| NCE4012S | N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W |
| NCE2030 | MOS管 N-channel Id=30A VDS=20V TO220-3 |
| NCE3025Q | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：25W |
