NCE65T360F_NCE_无锡新功率_TO220F_MOSFETs

NCE65T360F 型号参数

NCE65T360F是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子游戏机手柄、调音台、万用表、现场可编程门阵列（FPGA）、游戏机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
NCE3400	N沟道增强型功率MOSFET
NCE60H10K	MOSFETs N-Channel TO252-2L Vds=60V Vgs=±20V Id=100A Pd=170W
NCE30H12	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：120W
NCE30D2519K	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 功率(Pd)：21W
NCE8295AD	MOS管 N-Channel VDS=82V VGS=±20V ID=95A RDS(ON)=8mΩ@10V TO263-2L
NCE603S	N-channel,P-channel VDS=60V SOP8_150MIL
NCEP01T18	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：300W
NCE0208KA	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：55W
NCE65T540F	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：31.6W
NCE9926	2个N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.25W

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