NCE65T360F_NCE_无锡新功率_TO220F_MOSFETs

Name: NCE65T360F_NCE_无锡新功率_TO220F_MOSFETs
Brand: NCE

NCE65T360F 型号参数

NCE65T360F是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如指纹识别器、摄像机、吸尘器、电子门锁、电子加湿器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 MP3播放器、 MRI扫描仪、人脸识别设备、音频线材、固态硬盘、摄像机、电子脱毛器、交流电源等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE4012S	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W
NCE01ND03S	双N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=3A P=2W
NCE2333Y	P沟道漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.8W
NCE0103Y	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT23-3L
NCE65T1K2F	MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=4A TO220F-3
NCE01P30K	MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=30A RDS(ON)=65mΩ@4.5V TO252-2L
NCE603S	N-channel,P-channel VDS=60V SOP8_150MIL
NCE6020AK	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：45W
NCE40P05Y	P沟道 Vdss=40V Id=5.3A Pd=2W
NCE55P04S	2个P沟道漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：3W

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