NCE65T1K2F_NCE_无锡新功率_TO220F-3_MOSFETs

Name: NCE65T1K2F_NCE_无锡新功率_TO220F-3_MOSFETs
Brand: NCE

NCE65T1K2F 型号参数

NCE65T1K2F是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如心电图仪、烤箱、射频连接器、电子搅拌器、电子温度计，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如不间断电源（UPS）、录像机、电子罗盘、电子词典、心电图仪、人脸识别设备、电子按摩器、交换机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE3007S	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.3W
NCE65T1K2F	MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=4A TO220F-3
NCEP4045GU	NCEP4045GU
NCE2030K	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：40W
2N7002K	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW
NCE0130KA	TO252 SMT 100V 30A
NCE4953	2个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.1A 功率(Pd)：2.5W
NCEP40T17A	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：170A 功率(Pd)：250W TO220-3L
NCE70T360F	N沟道漏源电压(Vdss)：700V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W
NCE40P05Y	P沟道 Vdss=40V Id=5.3A Pd=2W

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