NCE6020AK_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

Name: NCE6020AK_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs
Brand: NCE

NCE6020AK 型号参数

NCE6020AK是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如光纤连接器、网络适配器、智能插座、现场可编程门阵列（FPGA）、电磁炉，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如红外感应器、电子血压手环、 LCD显示屏、电路板、交换机、电子体重秤、电子血压计袖带、笔记本电脑等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE6005AR	N沟道增强型功率MOSFET SOT223-3L
NCEP039N10D	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：135A 功率(Pd)：220W
NCE0110K	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L
NCE3401AY	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=4.4A SOT23-3L
NCE30P30K	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：60W
NCE30P20Q	MOSFETs DFN8_3.3X3.3MM_EP P-Channel VDS=30V ID=20A
NCE2301	场效应管MOSFET P沟道 -20V -3A 64mΩ
NCE2030	MOS管 N-channel Id=30A VDS=20V TO220-3
NCE9926	2个N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.25W
NCE2333Y	P沟道漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.8W

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