NCE30P30K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

NCE30P30K 型号参数

NCE30P30K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电动车、电源供应器、血糖仪、录像机、电子门锁，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
NCE0103M	N沟道增强型功率MOSFET
NCE603S	N-channel,P-channel VDS=60V SOP8_150MIL
NCEP60T18	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：220W TO220-3L
NCE8295A	N沟道 Vdss：82V Id：95A Pd：200W
NCE9926	2个N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.25W
NCE7190A	N沟道漏源电压(Vdss)：71V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：170W TO220-3L
NCEP0114AS	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=14A RDS(ON)=13mΩ@4.5V SOP8_150MIL
NCE4080	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：90W TO220-3L
NCE4009S	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：2W
NCEP60T15G	MOSFETs 1个N沟道耐压:60V 电流:150A DFN8_5X6MM

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