NCE6075K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

Name: NCE6075K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs
Brand: NCE

NCE6075K 型号参数

NCE6075K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如信号发生器、红外感应器、电子湿度计、电子罗盘、电子咖啡机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如摄像头、逆变器、电动自行车充电器、微波炉、汽车电子控制系统、蓝牙耳机、电子血压计、 CT扫描仪等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE30P20Q	MOSFETs DFN8_3.3X3.3MM_EP P-Channel VDS=30V ID=20A
NCE60P50K	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：95W
NCE6003X	MOSFETs N-沟道 SOT23-3 Vds=60V Id=3A Pd=1.7W
NCEP30T21GU	超级沟槽功率MOSFET N沟道 30V 210A 180W
NCE3401	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.2W
NCE3007S	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.3W
NCEP60T20	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：200A 功率(Pd)：255W TO220-3L
NCE01ND03S	双N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=3A P=2W
NCE40P05Y	P沟道 Vdss=40V Id=5.3A Pd=2W
NCEP40T17A	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：170A 功率(Pd)：250W TO220-3L

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