NCE6075K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

Name: NCE6075K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs
Brand: NCE

NCE6075K 型号参数

NCE6075K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电路板、光纤连接器、声卡、逆变器、心电图仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如万用表、网卡、电动车、摄像机、显卡、人脸识别设备、音响设备、智能家居控制器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE40P05Y	P沟道 Vdss=40V Id=5.3A Pd=2W
NCE65TF099T	MOS管 N-channel Id=38A VDS=650V TO247
NCEP039N10D	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：135A 功率(Pd)：220W
NCE6020AK	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：45W
NCE65T540K	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：69W
NCE2303	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W
NCE30H10	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：110W TO220-3L
NCE30P30K	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：60W
NCE65T540F	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：31.6W
NCE2312	N沟道增强型功率MOSFET

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