NCEP078N10G_NCE_无锡新功率_DFN8_6X4.5MM_EP_MOSFETs

Name: NCEP078N10G_NCE_无锡新功率_DFN8_6X4.5MM_EP_MOSFETs
Brand: NCE

NCEP078N10G 型号参数

NCEP078N10G是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如可编程逻辑控制器（PLC）、示波器、液晶显示器、 CT扫描仪、电子体温计探头，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子空气净化器、单片机、电子湿度计、信号发生器、智能手机、电子温度计、电子脱毛器、 MP4播放器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE6080K	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W
NCE0103Y	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT23-3L
NCE55P04S	2个P沟道漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：3W
NCE3407	P沟道增强型功率MOSFET
NCE0157A2	N沟道增强型功率MOSFET
NCE0205IA	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：78W
NCE60H10K	MOSFETs N-Channel TO252-2L Vds=60V Vgs=±20V Id=100A Pd=170W
NCE4009S	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：2W
NCEP1520K	N沟道漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：68W
NCE60P82AK	MOSFETs P-CH 60V 82A 150W TO-252-2L

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