NCEP078N10G_NCE_无锡新功率_DFN8_6X4.5MM_EP_MOSFETs

Name: NCEP078N10G_NCE_无锡新功率_DFN8_6X4.5MM_EP_MOSFETs
Brand: NCE

NCEP078N10G 型号参数

NCEP078N10G是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如示波器、手机、触摸屏、电动车、电子血压计，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电视机、无人机、智能手机、智能音箱、微处理器、 USB闪存盘、功放器、空调等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE6080A	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W
NCE40P70K	P-channel Id=70A VDS=40V TO252-2
NCE30D2519K	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 功率(Pd)：21W
NCEP0114AS	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=14A RDS(ON)=13mΩ@4.5V SOP8_150MIL
NCE7560K	N沟道漏源电压(Vdss)：75V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：140W
NCE65T900F	MOS管 N-channel Id=5A VDS=650V TO-220F
NCE8295AD	MOS管 N-Channel VDS=82V VGS=±20V ID=95A RDS(ON)=8mΩ@10V TO263-2L
NCE3400X	MOSFETs N-Channel VDS=30V ID=5.1A VGS=±12V SOT23-3
NCEP1520K	N沟道漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：68W
NCE3065K	N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=65A P=65W

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