NCE60P50K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

Name: NCE60P50K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs
Brand: NCE

NCE60P50K 型号参数

NCE60P50K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能门锁、电子血压手环、电子阅读器、 USB闪存盘、指纹识别器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 OLED显示屏、摄像头、耳机、音频信号处理器、电子烤箱温度计、电子秤、吉他效果器、电子白板等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE0110AK	类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;
NCE30ND09S	N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=9A P=2W
NCEP02T10D	NCE N沟道超沟道功率MOSFET VDS=200V ID=100A TO263-2L
NCEP85T11	N沟道漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：145W
NCE4080	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：90W TO220-3L
NCE60P04Y	MOS管 P-channel Id=4A VDS=60V SOT23-3
NCEP6090AGU	MOSFETs N-沟道 60V 90A 100W 4.5mΩ@4.5V DFN5X6-8L
NCE0224K	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：24A 功率(Pd)：150W
NCE65T360K	N沟道 Vdss：650V Id：11.5A Pd：101W
NCE6080A	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W

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