NCE7560K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

Name: NCE7560K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs
Brand: NCE

NCE7560K 型号参数

NCE7560K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子榨汁机、扫描仪、扬声器、电子阅读器、电子翻译器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子签到系统、电子书阅读器、功放器、音频线材、空调、 CT扫描仪、智能家居控制系统、音响系统等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE4080	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：90W TO220-3L
NCE30D2519K	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 功率(Pd)：21W
NCE0224K	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：24A 功率(Pd)：150W
NCE2333Y	P沟道漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.8W
NCE30H10	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：110W TO220-3L
NCE60P50K	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：95W
NCE3020Q	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：20W
NCEP60T20	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：200A 功率(Pd)：255W TO220-3L
NCE3007S	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.3W
NCE0110K	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L

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