NCE6020AI_NCE_无锡新功率_TO-251-3_MOSFETs

Name: NCE6020AI_NCE_无锡新功率_TO-251-3_MOSFETs
Brand: NCE

NCE6020AI 型号参数

NCE6020AI是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如扫描仪、电子胎心监测仪、电子烤箱温度计、红外感应器、智能安防摄像头，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如频谱分析仪、手机充电器、安防监控系统、冰箱、话筒（麦克风）、智能音箱、网卡、电子按摩器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE3025Q	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：25W
NCE3420	N沟道增强型功率MOSFET
NCEP035N85GU	NCEP035N85GU
NCE0103Y	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT23-3L
NCE3416	N沟道增强型功率MOSFET
2N7002K	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW
NCE30P20Q	MOSFETs DFN8_3.3X3.3MM_EP P-Channel VDS=30V ID=20A
NCE6003M	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1.7W
NCE4953	2个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.1A 功率(Pd)：2.5W
NCE65T900F	MOS管 N-channel Id=5A VDS=650V TO-220F

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