NCE80H12D_NCE_无锡新功率_TO-263(D²Pak)_MOSFETs

Name: NCE80H12D_NCE_无锡新功率_TO-263(D²Pak)_MOSFETs
Brand: NCE

NCE80H12D 型号参数

NCE80H12D是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电动自行车、音频线材、示波器、智能家居控制器、复印机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如音频功率放大器、血糖仪、无人机、电子体温计探头、电子胎心监测仪、电子除螨仪、整流器、洗衣机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE6003X	MOSFETs N-沟道 SOT23-3 Vds=60V Id=3A Pd=1.7W
NCE4606	MOS管 N+P Channel VDS=30V VGS=±20V SOP8
NCEP072N10	MOS管 N-channel Id=90A VDS=100V TO220
NCEP1545G	MOS管 N-channel Id=40A VDS=150V DFN8_5X6MM_EP
NCE82H140D	N沟道 VDS=82V VGS=±20V ID=140A P=220W
NCE2030K	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：40W
NCE6012AS	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W
NCE4080	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：90W TO220-3L
NCE2309	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=1.6A RDS(ON)=190mΩ@10V SOT23
NCEP040N10D	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：130A 功率(Pd)：210W

型号相关

热门型号