NCE80H12D_NCE_无锡新功率_TO-263(D²Pak)_MOSFETs

Name: NCE80H12D_NCE_无锡新功率_TO-263(D²Pak)_MOSFETs
Brand: NCE

NCE80H12D 型号参数

NCE80H12D是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如功放设备、电子咖啡机、频谱分析仪、电子美容仪、电子词典，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如显示器、音频信号处理器、不间断电源（UPS）、笔记本电脑、气体报警器、手机、万用表、交换机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE6020AK	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：45W
NCE3018AS	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=18A SOP8_150MIL
2N7002K	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW
NCE0205IA	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：78W
NCEP60T15G	MOSFETs 1个N沟道耐压:60V 电流:150A DFN8_5X6MM
NCE40H12	N沟道增强型功率MOSFET
NCE3020Q	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：20W
NCE3050	N沟道增强型功率MOSFET
NCE3416	N沟道增强型功率MOSFET
NCE60P25K	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：90W

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