NCE80H12D_NCE_无锡新功率_TO-263(D²Pak)_MOSFETs

Name: NCE80H12D_NCE_无锡新功率_TO-263(D²Pak)_MOSFETs
Brand: NCE

NCE80H12D 型号参数

NCE80H12D是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如逻辑分析仪、血糖仪、电子胎心监测仪、显示器、实验室离心机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如音频线材、红外感应器、路由器、手机充电器、扬声器、虚拟现实头盔、网卡、血糖仪等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE6012AS	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W
NCE3007S	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.3W
NCE0157A2	N沟道增强型功率MOSFET
NCE4060K	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：65W
NCE30H12	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：120W
NCE3416	N沟道增强型功率MOSFET
NCE30H10	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：110W TO220-3L
NCEP85T16	N沟道漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：160A 功率(Pd)：220W TO220-3L
NCE2333Y	P沟道漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.8W
NCEP60T12AK	MOSFETs VDS=60V VGS=±20V ID=120A PD=180W TO252-2

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