NCE3050_NCE_无锡新功率_TO-220-3_MOSFETs

Name: NCE3050_NCE_无锡新功率_TO-220-3_MOSFETs
Brand: NCE

NCE3050 型号参数

NCE3050是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如单片机、电子加湿器、电子湿度计、智能插座、 GPS定位器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如无人机、电子搅拌器、 MP3播放器、功放器、整流器、功放设备、内存条、虚拟现实头盔等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCEP023N10T	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：280A 功率(Pd)：365W TO247
NCE80H12D	MOSFETs N-Channel Vdss：80V Id：120A Pd：220W
2N7002K	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW
NCEP40T11G	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：75W
NCE0102	N沟道增强型功率MOSFET VDS=100V ID=2A PD=1.25W
NCE65TF099T	MOS管 N-channel Id=38A VDS=650V TO247
NCEP02T10D	NCE N沟道超沟道功率MOSFET VDS=200V ID=100A TO263-2L
NCE2030K	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：40W
NCE30D2519K	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 功率(Pd)：21W
NCE0103M	N沟道增强型功率MOSFET

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