NCE3020Q_NCE_无锡新功率_DFN8_3.15X3.1MM_MOSFETs

Name: NCE3020Q_NCE_无锡新功率_DFN8_3.15X3.1MM_MOSFETs
Brand: NCE

NCE3020Q 型号参数

NCE3020Q是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如网卡、内存条、单片机、电子胎心监测仪、视频线材，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子灭蚊灯、虚拟现实头盔、机器人、电子烤箱温度计、功放器、电子脱毛器、 3D打印机、电子签到系统等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE01H10D	N-沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W
NCEP60T12AK	MOSFETs VDS=60V VGS=±20V ID=120A PD=180W TO252-2
NCE0224K	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：24A 功率(Pd)：150W
NCE40H12	N沟道增强型功率MOSFET
NCE30H10	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：110W TO220-3L
NCE3420	N沟道增强型功率MOSFET
NCE2301	场效应管MOSFET P沟道 -20V -3A 64mΩ
NCEP072N10	MOS管 N-channel Id=90A VDS=100V TO220
NCEP40T17A	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：170A 功率(Pd)：250W TO220-3L
NCE2303	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W

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