NCE3065K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

Name: NCE3065K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs
Brand: NCE

NCE3065K 型号参数

NCE3065K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如遥控器、交换机、逻辑分析仪、电饭煲、直流电源，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如饮水机、智能门锁、耳机、手机、电子温度计、安防监控系统、洗衣机、电动车充电器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE60H10K	MOSFETs N-Channel TO252-2L Vds=60V Vgs=±20V Id=100A Pd=170W
NCEP60T12AK	MOSFETs VDS=60V VGS=±20V ID=120A PD=180W TO252-2
NCE3090K	NCE N沟道增强型功率MOSFET
NCE6003M	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1.7W
NCE3080K	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：235W
2N7002K	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW
NCE0110AK	类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;
NCE30H10	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：110W TO220-3L
NCE01H10D	N-沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W
NCE3050K	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：60W

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