NCE3065K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

Name: NCE3065K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs
Brand: NCE

NCE3065K 型号参数

NCE3065K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如网卡、电子气压计、血糖仪、电动工具、 B超机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子阅读器、固态硬盘、无线网卡、电子血压手环、蓝牙耳机、耳机、计算机、电源供应器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE65T1K2F	MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=4A TO220F-3
NCEP039N10D	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：135A 功率(Pd)：220W
NCE01P30K	MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=30A RDS(ON)=65mΩ@4.5V TO252-2L
NCE3020Q	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：20W
NCE0110K	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L
NCEP85T11	N沟道漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：145W
NCE0115K	MOSFETs N-Channel Vdss=100V Vgs=±20V Id=15A 50W TO252-2L
NCE6050A	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：85W
NCE6008AS	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=8A SOIC8_150MIL
NCE0102	N沟道增强型功率MOSFET VDS=100V ID=2A PD=1.25W

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