NCE01P13K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

Name: NCE01P13K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs
Brand: NCE

NCE01P13K 型号参数

NCE01P13K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子门锁、智能照明系统、模拟信号处理器（ASP）、电磁炉、电子搅拌器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如智能家居控制器、电子白板、 LCD显示屏、 OLED显示屏、电子词典、电子美容仪、气体报警器、智能照明系统等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCEP85T11	N沟道漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：145W
NCE0110AK	类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;
NCE60P04R	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT223
NCE6008AS	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=8A SOIC8_150MIL
NCE65T540K	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：69W
NCE0110K	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L
NCE4012S	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W
NCEP039N10D	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：135A 功率(Pd)：220W
NCEP078N10G	VDS =100V,ID =75A RDS(ON)=7.4mΩ
NCE2312	N沟道增强型功率MOSFET

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