NCE82H140D_NCE_无锡新功率_TO263-2_MOSFETs

Name: NCE82H140D_NCE_无锡新功率_TO263-2_MOSFETs
Brand: NCE

NCE82H140D 型号参数

NCE82H140D是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能家居控制系统、电子空气净化器、电视机、变压器、电子助听器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 USB闪存盘、 B超机、智能家居控制系统、实验室离心机、功放器、逻辑分析仪、逆变器、电子除螨仪等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE6080A	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W
NCE7560K	N沟道漏源电压(Vdss)：75V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：140W
NCE60P04R	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT223
NCEP4045GU	NCEP4045GU
NCE0102	N沟道增强型功率MOSFET VDS=100V ID=2A PD=1.25W
NCE3420	N沟道增强型功率MOSFET
NCE30P30K	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：60W
NCE65T900F	MOS管 N-channel Id=5A VDS=650V TO-220F
NCE60H15A	N沟道增强型功率MOSFET TO220-3L
NCEP039N10D	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：135A 功率(Pd)：220W

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