NCE82H140D_NCE_无锡新功率_TO263-2_MOSFETs

Name: NCE82H140D_NCE_无锡新功率_TO263-2_MOSFETs
Brand: NCE

NCE82H140D 型号参数

NCE82H140D是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如数字信号处理器（DSP）、扫描仪、电动车充电器、智能家居控制系统、投影仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 LED照明灯、电子血压手环、示波器、心电图仪、机器人、移动硬盘、摩托车、电子加湿器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCEP023N10T	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：280A 功率(Pd)：365W TO247
NCE6050A	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：85W
NCE65T360F	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W
NCEP6090AGU	MOSFETs N-沟道 60V 90A 100W 4.5mΩ@4.5V DFN5X6-8L
NCE6020AI	N沟道 Vdss=60V Id=20A Pd=45W
NCE3050K	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：60W
NCE6003M	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1.7W
NCE3420	N沟道增强型功率MOSFET
NCE01P30K	MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=30A RDS(ON)=65mΩ@4.5V TO252-2L
NCE6005AR	N沟道增强型功率MOSFET SOT223-3L

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