NCE82H140D_NCE_无锡新功率_TO263-2_MOSFETs

NCE82H140D 型号参数

NCE82H140D是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子广告牌、电视机、汽车、声卡、摄像头，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
NCEP4090AGU	MOSFETs N-沟道 40V 90A 2.9mΩ@10V
NCE3025Q	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：25W
NCE65T360F	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W
NCE0110K	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L
NCEP078N10G	VDS =100V,ID =75A RDS(ON)=7.4mΩ
NCEP018N85LL	NCEP018N85LL
NCEP1520K	N沟道漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：68W
NCE6012AS	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W
NCEP40T17A	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：170A 功率(Pd)：250W TO220-3L
NCE60P50K	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：95W

型号相关

热门型号