NCE3025Q_NCE_无锡新功率_DFN8_3.3X3.3MM_MOSFETs

Name: NCE3025Q_NCE_无锡新功率_DFN8_3.3X3.3MM_MOSFETs
Brand: NCE

NCE3025Q 型号参数

NCE3025Q是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如频谱分析仪、电子血压计、复印机、显示器、无人机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电源供应器、网络适配器、 MRI扫描仪、蓝牙耳机、 CT扫描仪、稳压电源、平板电脑、 X光机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE6012AS	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W
NCEP01T18	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：300W
NCEP6090AGU	MOSFETs N-沟道 60V 90A 100W 4.5mΩ@4.5V DFN5X6-8L
NCE6020AI	N沟道 Vdss=60V Id=20A Pd=45W
NCEP60T18	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：220W TO220-3L
NCE60P04R	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT223
NCE0130KA	TO252 SMT 100V 30A
NCE2030K	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：40W
NCE3007S	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.3W
NCEP023N10T	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：280A 功率(Pd)：365W TO247

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