NCE3025Q_NCE_无锡新功率_DFN8_3.3X3.3MM_MOSFETs

Name: NCE3025Q_NCE_无锡新功率_DFN8_3.3X3.3MM_MOSFETs
Brand: NCE

NCE3025Q 型号参数

NCE3025Q是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子游戏机手柄、不间断电源（UPS）、电源供应器、 MP3播放器、路由器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如无线网卡、指纹识别器、电磁炉、智能手表、红外感应器、智能插座、万用表、电子胎心监测仪等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE3025Q	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：25W
NCE3416	N沟道增强型功率MOSFET
NCEP078N10G	VDS =100V,ID =75A RDS(ON)=7.4mΩ
NCEP039N10D	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：135A 功率(Pd)：220W
NCE3050	N沟道增强型功率MOSFET
NCE30P20Q	MOSFETs DFN8_3.3X3.3MM_EP P-Channel VDS=30V ID=20A
NCE82H140D	N沟道 VDS=82V VGS=±20V ID=140A P=220W
NCE0157A2	N沟道增强型功率MOSFET
NCE6080A	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W
NCE30H10	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：110W TO220-3L

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