NCEP023N10T_NCE_无锡新功率_TO-247_MOSFETs

Name: NCEP023N10T_NCE_无锡新功率_TO-247_MOSFETs
Brand: NCE

NCEP023N10T 型号参数

NCEP023N10T是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如音频线材、无人机、人脸识别设备、录像机、电饭煲，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如固态硬盘、电源供应器、电子书阅读器、机器人、电子灭蚊灯、电子烤箱温度计、扫地机器人、数码相机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCEP60T12AK	MOSFETs VDS=60V VGS=±20V ID=120A PD=180W TO252-2
NCE6075K	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：75A 功率(Pd)：110W
NCE80H12D	MOSFETs N-Channel Vdss：80V Id：120A Pd：220W
NCEP85T25T	MOS管 N-Channel VDS=85V VGS=±20V ID=250A RDS(ON)=2.8mΩ@10V TO247
NCE6080K	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W
NCE6003M	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1.7W
NCE40P70K	P-channel Id=70A VDS=40V TO252-2
NCE01P30K	MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=30A RDS(ON)=65mΩ@4.5V TO252-2L
NCE60ND18G	N沟道增强型功率MOSFET VDS=60V ID=18A DFN8_4.9X5.75MM_EP
NCE3007S	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.3W

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