NCE3007S_NCE_无锡新功率_SO8_150MIL_MOSFETs

Name: NCE3007S_NCE_无锡新功率_SO8_150MIL_MOSFETs
Brand: NCE

NCE3007S 型号参数

NCE3007S是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如功放设备、智能插座、电视机、功放器、人脸识别设备，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 USB闪存盘、音频功率放大器、烤箱、电动车充电器、不间断电源（UPS）、逆变器、安防摄像头、门禁系统等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE0103M	N沟道增强型功率MOSFET
NCE01H10D	N-沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W
NCEP4090GU	NCEP4090GU
NCE01P30K	MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=30A RDS(ON)=65mΩ@4.5V TO252-2L
NCEP85T25T	MOS管 N-Channel VDS=85V VGS=±20V ID=250A RDS(ON)=2.8mΩ@10V TO247
NCE6075K	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：75A 功率(Pd)：110W
NCE7560K	N沟道漏源电压(Vdss)：75V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：140W
NCEP078N10G	VDS =100V,ID =75A RDS(ON)=7.4mΩ
NCEP0114AS	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=14A RDS(ON)=13mΩ@4.5V SOP8_150MIL
NCE01ND03S	双N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=3A P=2W

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