NCE01P30K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 人脸识别设备、 电子气压计、 空调、 3D打印机、 机械硬盘 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE01P30K
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=30A RDS(ON)=65mΩ@4.5V TO252-2L
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电子美容仪、 LED照明灯、 电子琴、 GPS定位器、 烤箱、 固态硬盘、 吸尘器、 整流器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE01H10D | N-沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W |
| NCE60P12K | P-channel Id=12A VDS=60V TO252-2 |
| NCE3050 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE65T540K | N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：69W |
| NCE3401AY | MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=4.4A SOT23-3L |
| NCE0157A2 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE2030K | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：40W |
| NCE30P20Q | MOSFETs DFN8_3.3X3.3MM_EP P-Channel VDS=30V ID=20A |
| NCE4009S | N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：2W |
| NCEP078N10G | VDS =100V,ID =75A RDS(ON)=7.4mΩ |
