NCE01P30K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

Name: NCE01P30K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs
Brand: NCE

NCE01P30K 型号参数

NCE01P30K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如微波炉、红外感应器、电子咖啡机、频谱分析仪、整流器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如智能音箱、电子脱毛器、电子体重秤、手机、电子阅读器、 MP3播放器、移动硬盘、稳压电源等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCEP4090AGU	MOSFETs N-沟道 40V 90A 2.9mΩ@10V
NCE6005AR	N沟道增强型功率MOSFET SOT223-3L
NCE65T1K2F	MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=4A TO220F-3
NCE3407	P沟道增强型功率MOSFET
NCE0110AK	类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;
NCEP0178A	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：78A 功率(Pd)：125W TO220-3L
NCE6012AS	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W
NCE3404	N沟道增强型功率MOSFET
NCE3420	N沟道增强型功率MOSFET
NCEP85T11	N沟道漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：145W

型号相关

热门型号