NCE65T540K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 交流电源、 电饭煲、 遥控器、 智能手表、 声卡 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE65T540K
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：69W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电子除湿机、 人脸识别设备、 可编程逻辑控制器（PLC）、 音频功率放大器、 直流电源、 虚拟现实头盔、 电子广告牌、 安防摄像头 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE0205IA | N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：78W |
| NCE6005AR | N沟道增强型功率MOSFET SOT223-3L |
| NCE30H10 | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：110W TO220-3L |
| NCE6008AS | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=8A SOIC8_150MIL |
| NCEP01T18 | N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：300W |
| NCEP85T11 | N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：145W |
| NCE3401AY | MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=4.4A SOT23-3L |
| NCE0140KA | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE65T260 | N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：33.2W |
| NCEP02T10D | NCE N沟道超沟道功率MOSFET VDS=200V ID=100A TO263-2L |
