NCEP02T10D_NCE_无锡新功率_TO263-2_MOSFETs

Name: NCEP02T10D_NCE_无锡新功率_TO263-2_MOSFETs
Brand: NCE

NCEP02T10D 型号参数

NCEP02T10D是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如烤箱、电动车充电器、吉他效果器、无线网卡、实验室离心机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如红外感应器、智能安防摄像头、电子加湿器、电磁炉、智能插座、电子血压计、交换机、无人机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE40P70K	P-channel Id=70A VDS=40V TO252-2
NCE3400X	MOSFETs N-Channel VDS=30V ID=5.1A VGS=±12V SOT23-3
NCEP0178A	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：78A 功率(Pd)：125W TO220-3L
NCE2302	N沟道增强型功率MOSFET
NCE70T360F	N沟道漏源电压(Vdss)：700V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W
NCE3065K	N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=65A P=65W
NCE3080K	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：235W
NCE40H12	N沟道增强型功率MOSFET
NCE2301	场效应管MOSFET P沟道 -20V -3A 64mΩ
NCE6075K	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：75A 功率(Pd)：110W

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