NCEP02T10D_NCE_无锡新功率_TO263-2_MOSFETs

Name: NCEP02T10D_NCE_无锡新功率_TO263-2_MOSFETs
Brand: NCE

NCEP02T10D 型号参数

NCEP02T10D是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如摩托车、气体报警器、电子湿度计、 GPS定位器、调音台，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 MP4播放器、摄像机、人脸识别设备、话筒（麦克风）、 X光机、智能手表、 DVD播放器、电子罗盘等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE30P30K	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：60W
NCE65T1K2F	MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=4A TO220F-3
NCE6080A	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W
NCEP072N10	MOS管 N-channel Id=90A VDS=100V TO220
NCEP026N10	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：200A 功率(Pd)：300W
NCE603S	N-channel,P-channel VDS=60V SOP8_150MIL
NCE3025Q	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：25W
NCE65T360K	N沟道 Vdss：650V Id：11.5A Pd：101W
2N7002K	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW
NCE65T260	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：33.2W

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