NCEP02T10D_NCE_无锡新功率_TO263-2_MOSFETs

Name: NCEP02T10D_NCE_无锡新功率_TO263-2_MOSFETs
Brand: NCE

NCEP02T10D 型号参数

NCEP02T10D是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如集成电路板、电磁炉、智能手表、电动车充电器、吉他效果器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子琴、扬声器、 MP3播放器、电子加湿器、电子气压计、烤箱、电视机、电子驱蚊器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCEP0178A	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：78A 功率(Pd)：125W TO220-3L
NCEP026N10	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：200A 功率(Pd)：300W
NCE60P04Y	MOS管 P-channel Id=4A VDS=60V SOT23-3
NCE7560K	N沟道漏源电压(Vdss)：75V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：140W
NCE3007S	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.3W
NCE0103M	N沟道增强型功率MOSFET
NCEP035N85GU	NCEP035N85GU
NCE3018AS	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=18A SOP8_150MIL
NCE2060K	NCE N沟道增强型功率MOSFET
NCE0102	N沟道增强型功率MOSFET VDS=100V ID=2A PD=1.25W

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