NCEP02T10D_NCE_无锡新功率_TO263-2_MOSFETs

Name: NCEP02T10D_NCE_无锡新功率_TO263-2_MOSFETs
Brand: NCE

NCEP02T10D 型号参数

NCEP02T10D是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如吸尘器、声卡、智能插座、饮水机、 USB闪存盘，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如微处理器、电子门禁卡、不间断电源（UPS）、电视机、智能安防摄像头、内存条、电子胎心监测仪、计算机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE60P50	MOS管 P-channel Id=50A VDS=60V TO220-3
NCE3065K	N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=65A P=65W
NCEP40T11G	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：75W
NCEP01T18	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：300W
NCE0102	N沟道增强型功率MOSFET VDS=100V ID=2A PD=1.25W
NCE65T540F	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：31.6W
NCE0140KA	N沟道增强型功率MOSFET
NCEP040N10D	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：130A 功率(Pd)：210W
NCE65T360K	N沟道 Vdss：650V Id：11.5A Pd：101W
NCEP4090AGU	MOSFETs N-沟道 40V 90A 2.9mΩ@10V

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