NCE2060K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

Name: NCE2060K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs
Brand: NCE

NCE2060K 型号参数

NCE2060K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如微波炉、实验室离心机、模拟信号处理器（ASP）、电子秤、电子除湿机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如稳压电源、 3D打印机、 OLED显示屏、电子门锁、汽车、射频连接器、耳机、电饭煲等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCEP6090AGU	MOSFETs N-沟道 60V 90A 100W 4.5mΩ@4.5V DFN5X6-8L
NCE7190A	N沟道漏源电压(Vdss)：71V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：170W TO220-3L
NCEP1520K	N沟道漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：68W
NCE40H12	N沟道增强型功率MOSFET
NCEP078N10G	VDS =100V,ID =75A RDS(ON)=7.4mΩ
NCE4953	2个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.1A 功率(Pd)：2.5W
NCE0103Y	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT23-3L
NCE40P70K	P-channel Id=70A VDS=40V TO252-2
NCE4009S	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：2W
NCE9926	2个N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.25W

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