NCE2060K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

Name: NCE2060K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs
Brand: NCE

NCE2060K 型号参数

NCE2060K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能照明系统、电子驱蚊器、话筒（麦克风）、液晶显示器、 LCD显示屏，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子胎心监测仪、饮水机、示波器、电子湿度计、摄像头、冰箱、信号发生器、 GPS定位器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE60H10K	MOSFETs N-Channel TO252-2L Vds=60V Vgs=±20V Id=100A Pd=170W
NCEP039N10D	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：135A 功率(Pd)：220W
NCE2030	MOS管 N-channel Id=30A VDS=20V TO220-3
NCE6050KA	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：85W
NCE2312	N沟道增强型功率MOSFET
NCE6075K	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：75A 功率(Pd)：110W
NCE30D2519K	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 功率(Pd)：21W
NCEP85T25T	MOS管 N-Channel VDS=85V VGS=±20V ID=250A RDS(ON)=2.8mΩ@10V TO247
NCE30P15S	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：3.1W
NCE60P25K	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：90W

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