NCE2060K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

NCE2060K 型号参数

NCE2060K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电动自行车充电器、现场可编程门阵列（FPGA）、空调、智能安防摄像头、智能照明系统，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
NCE01ND03S	双N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=3A P=2W
NCE60P50K	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：95W
NCEP85T16	N沟道漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：160A 功率(Pd)：220W TO220-3L
NCE3400X	MOSFETs N-Channel VDS=30V ID=5.1A VGS=±12V SOT23-3
NCE60H10K	MOSFETs N-Channel TO252-2L Vds=60V Vgs=±20V Id=100A Pd=170W
NCE7190A	N沟道漏源电压(Vdss)：71V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：170W TO220-3L
NCE6045XG
NCE4953	2个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.1A 功率(Pd)：2.5W
NCE0157A2	N沟道增强型功率MOSFET
NCE40P05S	MOSFETs P沟道 40V 5.3A 120mΩ@-4.5V SOP8

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