NCE60H10K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

Name: NCE60H10K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs
Brand: NCE

NCE60H10K 型号参数

NCE60H10K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如手机充电器、机械硬盘、电子游戏机手柄、电子血压计袖带、扫描仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子咖啡机、逆变器、门禁系统、音频线材、电子血压计袖带、电子秤、气体报警器、电子温度计等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCEP4045GU	NCEP4045GU
NCE40P05S	MOSFETs P沟道 40V 5.3A 120mΩ@-4.5V SOP8
NCE60H10K	MOSFETs N-Channel TO252-2L Vds=60V Vgs=±20V Id=100A Pd=170W
NCE4060K	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：65W
NCE4953	2个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.1A 功率(Pd)：2.5W
NCEP60T15G	MOSFETs 1个N沟道耐压:60V 电流:150A DFN8_5X6MM
NCE6003M	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1.7W
NCE30H12	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：120W
NCE8295A	N沟道 Vdss：82V Id：95A Pd：200W
NCE3401	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.2W

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