NCE30D2519K_NCE_无锡新功率_TO252-4L_MOSFETs

Name: NCE30D2519K_NCE_无锡新功率_TO252-4L_MOSFETs
Brand: NCE

NCE30D2519K 型号参数

NCE30D2519K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子书阅读器、 OLED显示屏、复印机、模拟信号处理器（ASP）、投影仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如计算机、热水器、音响设备、心电图仪、智能家居控制系统、打印机、电路板、光纤连接器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE60H15A	N沟道增强型功率MOSFET TO220-3L
NCE65T540K	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：69W
NCE3404	N沟道增强型功率MOSFET
NCE6008AS	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=8A SOIC8_150MIL
NCEP01T18	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：300W
NCE01P30K	MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=30A RDS(ON)=65mΩ@4.5V TO252-2L
NCEP30T21GU	超级沟槽功率MOSFET N沟道 30V 210A 180W
NCE40P05S	MOSFETs P沟道 40V 5.3A 120mΩ@-4.5V SOP8
NCEP023N10T	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：280A 功率(Pd)：365W TO247
NCEP1520K	N沟道漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：68W

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