NCE60H15A_NCE_无锡新功率_TO-220-3_MOSFETs

Name: NCE60H15A_NCE_无锡新功率_TO-220-3_MOSFETs
Brand: NCE

NCE60H15A 型号参数

NCE60H15A是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如显卡、模拟信号处理器（ASP）、电子门禁卡、电子空气净化器、电子游戏机手柄，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如冰箱、电子按摩器、指纹识别器、音响系统、摄像头、移动硬盘、电子血压计、手机充电器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE60ND18G	N沟道增强型功率MOSFET VDS=60V ID=18A DFN8_4.9X5.75MM_EP
NCE4012S	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W
NCE30D2519K	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 功率(Pd)：21W
NCE65T900F	MOS管 N-channel Id=5A VDS=650V TO-220F
NCE60H10K	MOSFETs N-Channel TO252-2L Vds=60V Vgs=±20V Id=100A Pd=170W
NCE0110K	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L
NCE6003X	MOSFETs N-沟道 SOT23-3 Vds=60V Id=3A Pd=1.7W
NCE55P04S	2个P沟道漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：3W
NCE0110K	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L
NCEP30T21GU	超级沟槽功率MOSFET N沟道 30V 210A 180W

型号相关

热门型号