NCEP60T20_NCE_无锡新功率_TO-220-3_MOSFETs

Name: NCEP60T20_NCE_无锡新功率_TO-220-3_MOSFETs
Brand: NCE

NCEP60T20 型号参数

NCEP60T20是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子搅拌器、网络适配器、摄像机、电子助听器、录像机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如空调、网络适配器、电子湿度计、耳机、电子翻译器、电子胎心监测仪、电子阅读器、 LED显示器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE0110K	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L
NCE2060K	NCE N沟道增强型功率MOSFET
NCE65T540F	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：31.6W
NCE70T360F	N沟道漏源电压(Vdss)：700V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W
NCE60P50K	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：95W
NCEP60T20	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：200A 功率(Pd)：255W TO220-3L
NCE65TF099T	MOS管 N-channel Id=38A VDS=650V TO247
NCEP02T10D	NCE N沟道超沟道功率MOSFET VDS=200V ID=100A TO263-2L
NCEP0114AS	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=14A RDS(ON)=13mΩ@4.5V SOP8_150MIL
NCE65T260	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：33.2W

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