NCE65T540F_NCE_无锡新功率_TO220F_MOSFETs

Name: NCE65T540F_NCE_无锡新功率_TO220F_MOSFETs
Brand: NCE

NCE65T540F 型号参数

NCE65T540F是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如虚拟现实头盔、心电图仪、触摸屏、电子气压计、电子翻译器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如智能照明系统、复印机、电源供应器、音响设备、内存条、蓝牙耳机、电子榨汁机、光纤连接器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE0110K	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L
2N7002K	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW
NCE82H140D	N沟道 VDS=82V VGS=±20V ID=140A P=220W
NCE0208KA	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：55W
NCE2030	MOS管 N-channel Id=30A VDS=20V TO220-3
NCE6003X	MOSFETs N-沟道 SOT23-3 Vds=60V Id=3A Pd=1.7W
NCE60H15A	N沟道增强型功率MOSFET TO220-3L
NCE01ND03S	双N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=3A P=2W
NCE8295AK	MOSFETs N-Channel VDS=82V VGS=±20V ID=95A PD=170W TO252-2L
NCEP1520K	N沟道漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：68W

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