NCE30H12_NCE_无锡新功率_TO-220-3_MOSFETs

Name: NCE30H12_NCE_无锡新功率_TO-220-3_MOSFETs
Brand: NCE

NCE30H12 型号参数

NCE30H12是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子美容仪、微波炉、电动车、智能插座、 3D打印机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如智能手表、电子广告牌、电动自行车充电器、 X光机、智能手环、手机充电器、打印机、不间断电源（UPS）等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE4012S	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W
NCE0103Y	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT23-3L
NCE30D2519K	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 功率(Pd)：21W
NCE6008AS	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=8A SOIC8_150MIL
NCE7190A	N沟道漏源电压(Vdss)：71V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：170W TO220-3L
NCE0102	N沟道增强型功率MOSFET VDS=100V ID=2A PD=1.25W
NCE30H10	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：110W TO220-3L
NCE65T540K	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：69W
NCE30P30K	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：60W
NCE65T1K2F	MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=4A TO220F-3

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