NCE30H12_NCE_无锡新功率_TO-220-3_MOSFETs

Name: NCE30H12_NCE_无锡新功率_TO-220-3_MOSFETs
Brand: NCE

NCE30H12 型号参数

NCE30H12是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如笔记本电脑、电子血压手环、热水器、耳机、摩托车，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如打印机、智能手表、电子助听器、 B超机、电子美容仪、射频连接器、模拟信号处理器（ASP）、单片机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCEP1520K	N沟道漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：68W
NCE3407	P沟道增强型功率MOSFET
NCE3025Q	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：25W
NCE20P45Q	MOSFETs 1个P沟道耐压:19V 电流:45A DFN8_3.3X3.3MM
NCE65T540F	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：31.6W
NCE60P50K	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：95W
NCE6012AS	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W
NCE6003M	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1.7W
NCE40H12	N沟道增强型功率MOSFET
NCE3065K	N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=65A P=65W

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