NCE6080K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

Name: NCE6080K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs
Brand: NCE

NCE6080K 型号参数

NCE6080K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子阅读器、微波炉、固态硬盘、电子助听器、门禁系统，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如汽车、扬声器、智能手机、电子词典、无人机、复印机、音频信号处理器、台式电脑主机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE7560K	N沟道漏源电压(Vdss)：75V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：140W
NCEP6090AGU	MOSFETs N-沟道 60V 90A 100W 4.5mΩ@4.5V DFN5X6-8L
NCE0110K	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L
NCE0224K	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：24A 功率(Pd)：150W
NCE60P50	MOS管 P-channel Id=50A VDS=60V TO220-3
NCE0130KA	TO252 SMT 100V 30A
NCE8295A	N沟道 Vdss：82V Id：95A Pd：200W
NCE30D2519K	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 功率(Pd)：21W
NCEP039N10D	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：135A 功率(Pd)：220W
NCEP85T16	N沟道漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：160A 功率(Pd)：220W TO220-3L

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