NCEP01T18_NCE_无锡新功率_TO-220-3_MOSFETs

NCEP01T18 型号参数

NCEP01T18是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如手机、功放器、电子词典、集成电路板、 MP4播放器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
NCE6005AR	N沟道增强型功率MOSFET SOT223-3L
NCE60P50K	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：95W
NCE0110AK	类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;
NCE3020Q	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：20W
NCEP85T16	N沟道漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：160A 功率(Pd)：220W TO220-3L
NCE0102	N沟道增强型功率MOSFET VDS=100V ID=2A PD=1.25W
NCE60P50	MOS管 P-channel Id=50A VDS=60V TO220-3
NCE40H12	N沟道增强型功率MOSFET
NCE4953	2个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.1A 功率(Pd)：2.5W
NCE40P05S	MOSFETs P沟道 40V 5.3A 120mΩ@-4.5V SOP8

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