NCE60P25K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

Name: NCE60P25K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs
Brand: NCE

NCE60P25K 型号参数

NCE60P25K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子灭蚊灯、安防摄像头、电子计算器、电子搅拌器、 MP3播放器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如功放器、显示器、汽车、电视机、电子咖啡机、万用表、机械硬盘、信号发生器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCEP85T25T	MOS管 N-Channel VDS=85V VGS=±20V ID=250A RDS(ON)=2.8mΩ@10V TO247
NCE3018AS	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=18A SOP8_150MIL
NCE65T260	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：33.2W
NCE6020AK	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：45W
NCE2303	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W
NCE3020Q	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：20W
NCE0208KA	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：55W
NCE3080KA	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=80A TO252-2L
NCE6080A	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W
NCE0103M	N沟道增强型功率MOSFET

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