NCE30H10_NCE_无锡新功率_TO-220-3_MOSFETs

Name: NCE30H10_NCE_无锡新功率_TO-220-3_MOSFETs
Brand: NCE

NCE30H10 型号参数

NCE30H10是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子计算器、电视机、无线网卡、 LED显示器、红外感应器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 X光机、手机、电子血压计、音响设备、 RFID读写器、遥控器、可编程逻辑控制器（PLC）、电子秤等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE65T540K	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：69W
NCEP6090AGU	MOSFETs N-沟道 60V 90A 100W 4.5mΩ@4.5V DFN5X6-8L
NCE60P04R	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT223
NCE3010S	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=10A SO8_150MIL
NCEP85T16	N沟道漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：160A 功率(Pd)：220W TO220-3L
NCE6003X	MOSFETs N-沟道 SOT23-3 Vds=60V Id=3A Pd=1.7W
NCE6020AK	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：45W
NCE60ND18G	N沟道增强型功率MOSFET VDS=60V ID=18A DFN8_4.9X5.75MM_EP
NCE603S	N-channel,P-channel VDS=60V SOP8_150MIL
NCE0117	N沟道增强型功率MOSFET

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