NCE65T900F_NCE_无锡新功率_TO220F_MOSFETs

Name: NCE65T900F_NCE_无锡新功率_TO220F_MOSFETs
Brand: NCE

NCE65T900F 型号参数

NCE65T900F是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如数字信号处理器（DSP）、交流电源、 3D打印机、视频线材、电子加湿器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子脱毛器、示波器、触摸屏、指纹识别器、电子空气净化器、洗衣机、 LCD显示屏、显卡等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCEP85T16	N沟道漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：160A 功率(Pd)：220W TO220-3L
NCE4080	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：90W TO220-3L
NCE80H12D	MOSFETs N-Channel Vdss：80V Id：120A Pd：220W
NCE3400	N沟道增强型功率MOSFET
NCE60P12K	P-channel Id=12A VDS=60V TO252-2
NCE4012S	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W
NCEP4090GU	NCEP4090GU
NCE2060K	NCE N沟道增强型功率MOSFET
NCE60H10K	MOSFETs N-Channel TO252-2L Vds=60V Vgs=±20V Id=100A Pd=170W
NCE0157A2	N沟道增强型功率MOSFET

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