NCE6045G_NCE_无锡新功率_DFN8_5X6MM_EP_MOSFETs

Name: NCE6045G_NCE_无锡新功率_DFN8_5X6MM_EP_MOSFETs
Brand: NCE

NCE6045G 型号参数

NCE6045G是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如音频线材、电子阅读器、 LCD显示屏、智能门锁、智能家居控制器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子计算器、手机充电器、智能照明系统、人脸识别设备、音响设备、音频线材、无线网卡、耳机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE55P04S	2个P沟道漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：3W
NCE2060K	NCE N沟道增强型功率MOSFET
NCE3065K	N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=65A P=65W
NCEP60T18	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：220W TO220-3L
NCE3407	P沟道增强型功率MOSFET
NCE0103M	N沟道增强型功率MOSFET
NCE2030K	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：40W
NCE65T260	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：33.2W
NCE30P20Q	MOSFETs DFN8_3.3X3.3MM_EP P-Channel VDS=30V ID=20A
NCE65T540F	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：31.6W

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