NCE6012AS_NCE_无锡新功率_SOP8_150MIL_MOSFETs

NCE6012AS 型号参数

NCE6012AS是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 GPS定位器、电磁炉、万用表、气体报警器、电子血压手环，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
NCE0130KA	TO252 SMT 100V 30A
NCE6050KA	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：85W
NCE30H10	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：110W TO220-3L
NCE3401	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.2W
NCE40P05S	MOSFETs P沟道 40V 5.3A 120mΩ@-4.5V SOP8
NCE3400X	MOSFETs N-Channel VDS=30V ID=5.1A VGS=±12V SOT23-3
NCE6075K	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：75A 功率(Pd)：110W
NCE4606	MOS管 N+P Channel VDS=30V VGS=±20V SOP8
NCE0115K	MOSFETs N-Channel Vdss=100V Vgs=±20V Id=15A 50W TO252-2L
NCE6003M	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1.7W

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