NCEP018N85LL_NCE_无锡新功率_TOLL-11_9.9X10.4MM_MOSFETs

Name: NCEP018N85LL_NCE_无锡新功率_TOLL-11_9.9X10.4MM_MOSFETs
Brand: NCE

NCEP018N85LL 型号参数

NCEP018N85LL是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如显示器、蓝牙耳机、频谱分析仪、电子手表、电子血压计袖带，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子体温计探头、电子搅拌器、台式电脑主机、计算机、电子阅读器、调音台、电子血压手环、门禁系统等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE30D2519K	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 功率(Pd)：21W
NCE65T1K2F	MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=4A TO220F-3
NCEP040N10D	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：130A 功率(Pd)：210W
NCE65T540K	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：69W
NCEP85T25T	MOS管 N-Channel VDS=85V VGS=±20V ID=250A RDS(ON)=2.8mΩ@10V TO247
NCE01P13K	MOSFETs P channel Vdss=100V Id=13A Pd=40W
NCEP01T18	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：300W
NCE2333Y	P沟道漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.8W
NCE01H10D	N-沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W
NCEP0114AS	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=14A RDS(ON)=13mΩ@4.5V SOP8_150MIL

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