NCEP040N10D_NCE_无锡新功率_TO-263(D²Pak)_MOSFETs

Name: NCEP040N10D_NCE_无锡新功率_TO-263(D²Pak)_MOSFETs
Brand: NCE

NCEP040N10D 型号参数

NCEP040N10D是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如吸尘器、微波炉、稳压电源、声卡、扬声器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如心电图仪、功放器、电子琴、万用表、光纤连接器、音频信号处理器、摩托车、逻辑分析仪等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE60P04Y	MOS管 P-channel Id=4A VDS=60V SOT23-3
2N7002K	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW
NCEP023N10T	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：280A 功率(Pd)：365W TO247
NCE6008AS	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=8A SOIC8_150MIL
NCE3050	N沟道增强型功率MOSFET
NCE4953	2个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.1A 功率(Pd)：2.5W
NCEP1520K	N沟道漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：68W
NCE30H12	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：120W
NCE3018AS	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=18A SOP8_150MIL
NCE65T260	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：33.2W

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