NCEP40T11G_NCE_无锡新功率_DFN8_5X6MM_MOSFETs

Name: NCEP40T11G_NCE_无锡新功率_DFN8_5X6MM_MOSFETs
Brand: NCE

NCEP40T11G 型号参数

NCEP40T11G是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如显示器、电子词典、 CT扫描仪、电子体重秤、虚拟现实头盔，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子罗盘、 B超机、电子体温计探头、摄像机、电饭煲、电子咖啡机、数码相机、吸尘器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCEP60T20	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：200A 功率(Pd)：255W TO220-3L
NCE3020Q	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：20W
NCE70T360F	N沟道漏源电压(Vdss)：700V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W
NCE2302	N沟道增强型功率MOSFET
NCE3080K	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：235W
NCE2312	N沟道增强型功率MOSFET
NCE65T260	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：33.2W
NCE6012AS	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W
NCE82H140D	N沟道 VDS=82V VGS=±20V ID=140A P=220W
NCE3420	N沟道增强型功率MOSFET

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