NCEP40T11G_NCE_无锡新功率_DFN8_5X6MM_MOSFETs

Name: NCEP40T11G_NCE_无锡新功率_DFN8_5X6MM_MOSFETs
Brand: NCE

NCEP40T11G 型号参数

NCEP40T11G是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如固态硬盘、无线网卡、电子白板、模拟信号处理器（ASP）、电子净水器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如交流电源、光纤连接器、 CT扫描仪、门禁系统、人脸识别设备、手机、烟雾报警器、稳压电源等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE82H140D	N沟道 VDS=82V VGS=±20V ID=140A P=220W
NCEP039N10D	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：135A 功率(Pd)：220W
NCE9926	2个N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.25W
NCE3050K	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：60W
NCE65T540K	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：69W
NCE0103Y	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT23-3L
NCE8295AK	MOSFETs N-Channel VDS=82V VGS=±20V ID=95A PD=170W TO252-2L
NCE30H12	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：120W
NCEP02T10D	NCE N沟道超沟道功率MOSFET VDS=200V ID=100A TO263-2L
NCE6003M	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1.7W

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