NCEP40T11G_NCE_无锡新功率_DFN8_5X6MM_MOSFETs

Name: NCEP40T11G_NCE_无锡新功率_DFN8_5X6MM_MOSFETs
Brand: NCE

NCEP40T11G 型号参数

NCEP40T11G是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如汽车电子控制系统、专用集成电路（ASIC）、电子美容仪、 USB闪存盘、电子血压计，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如智能门锁、固态硬盘、整流器、电子体重秤、电子除螨仪、智能安防摄像头、集成电路板、 GPS定位器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE60ND18G	N沟道增强型功率MOSFET VDS=60V ID=18A DFN8_4.9X5.75MM_EP
NCE20P45Q	MOSFETs 1个P沟道耐压:19V 电流:45A DFN8_3.3X3.3MM
NCE65T1K2F	MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=4A TO220F-3
NCE3007S	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.3W
NCE3401	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.2W
NCE3090K	NCE N沟道增强型功率MOSFET
NCEP4090AGU	MOSFETs N-沟道 40V 90A 2.9mΩ@10V
NCE0110AK	类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;
NCE30H12	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：120W
NCE9926	2个N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.25W

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