NTA4151PT1G_ON_安森美_SOT416_MOSFETs

NTA4151PT1G 型号参数

NTA4151PT1G是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如吸尘器、电子计算器、网卡、 USB闪存盘、心电图仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号：NTA4151PT1G
品牌：安森美(ON)
分类：MOSFETs
参数：类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：760mA 功率(Pd)：301mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：360mΩ@4.5V,350mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：450mV@250uA

MOSFETs可应用场景，如电子秤、游戏机、扫地机器人、手机、蓝牙音箱、电子灭蚊灯、电子签到系统、扬声器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
FDD8896	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=94A RDS(ON)=5.7mΩ@10V TO252
FQL40N50	通孔 N 通道 500 V 40A（Tc） 460W（Tc） TO-264-3
FDPF20N50FT	通孔 N 通道 500 V 20A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F-3
FDS4435BZ	MOSFETs SOIC8_150MIL P沟道 VDDS=30V ID=8.8A
BSS123	SOT23-3 360mW
FDP075N15A-F102	通孔 N 通道 150 V 130A（Tc） 333W（Tc） TO-220-3
FQA90N15	通孔 N 通道 150 V 90A（Tc） 375W（Tc） TO-3PN
NDS352AP	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=900mA RDS(ON)=500mΩ@4.5V SOT23-3
FDMC6686P	表面贴装型 P 通道 20 V 18A（Ta），56A（Tc） 2.3W（Ta），40W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
FDD8424H	MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=9A,6.5A RDS(ON)=24mΩ,54mΩ@10V TO252-4

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