NTA4151PT1G_ON_安森美_SOT416_MOSFETs

NTA4151PT1G 型号参数

NTA4151PT1G是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如摩托车、电子净水器、电子血压计袖带、汽车电子控制系统、直流电源，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号：NTA4151PT1G
品牌：安森美(ON)
分类：MOSFETs
参数：类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：760mA 功率(Pd)：301mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：360mΩ@4.5V,350mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：450mV@250uA

MOSFETs可应用场景，如 MRI扫描仪、台式电脑主机、 MP4播放器、视频线材、调制解调器、心电图仪、电动工具、平板电脑等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
FQD13N10TM	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±25V ID=10A RDS(ON)=180mΩ@10V TO252
FDD8424H	MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=9A,6.5A RDS(ON)=24mΩ,54mΩ@10V TO252-4
NTR5103NT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±30V ID=260mA RDS(ON)=2.5Ω@10V SOT23
FDV301N	MOS管 N-Channel VDS=25V VGS=±8V ID=220mA RDS(ON)=4Ω@4.5V SOT23
NTD6414ANT4G	MOSFET–功率，N通道100 V，32 A，37 mΩ
FDN360P	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=2A RDS(ON)=80mΩ@10V SOT23-3
NTS2101PT1G	MOS管 N-Channel VDS=8V VGS=±8V ID=1.4A RDS(ON)=100mΩ@4.5V SOT323
NTA4001NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：238mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@4.5V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA
FQA90N15	通孔 N 通道 150 V 90A（Tc） 375W（Tc） TO-3PN
BS170	MOSFETs TO-92-3 VDSS=60V ID=500mA N-Channel

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