FQD13N10TM_ON_安森美_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

Name: FQD13N10TM_ON_安森美_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs
Brand: ON

FQD13N10TM 型号参数

FQD13N10TM是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能音箱、电子体重秤、 MRI扫描仪、显示器、平板电脑，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子驱蚊器、 OLED显示屏、电动自行车充电器、光纤连接器、机器人、电子罗盘、电子血压计、无线网卡等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
FQT1N60CTF-WS	MOS管 N-Channel VDS=600V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=11.5Ω@10V SOT223
NDS355AN	表面贴装型 N 通道 30 V 1.7A（Ta） 500mW（Ta） SOT-23-3
NTD3055L104T4G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±15V ID=12A RDS(ON)=104mΩ@5V TO252
NTR5103NT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±30V ID=260mA RDS(ON)=2.5Ω@10V SOT23
FDD8896	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=94A RDS(ON)=5.7mΩ@10V TO252
2V7002LT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω@10V SOT23-3
FDN360P	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=2A RDS(ON)=80mΩ@10V SOT23-3
FQD13N10LTM	表面贴装型 N 通道 100 V 10A（Tc） 2.5W（Ta），40W（Tc） TO-252AA
NTK3134NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：890mA 功率(Pd)：310mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：350mΩ@4.5V,890mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA
FQT7N10LTF	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=1.7A RDS(ON)=350mΩ@10V SOT223

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