SI2319DS-T1-E3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs

Name: SI2319DS-T1-E3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs
Brand: Vishay

SI2319DS-T1-E3 型号参数

SI2319DS-T1-E3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如可编程逻辑控制器（PLC）、台式电脑主机、电饭煲、模拟信号处理器（ASP）、智能手机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如血糖仪、 LCD显示屏、实验室离心机、电子门禁卡、液晶显示器、信号发生器、蓝牙音箱、摄像机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI4401DDY-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=10.2A RDS(ON)=15mΩ@10V SOIC8_150MIL
SI1308EDL-T1-GE3	MOSFET SOT323 N-Channel ID=1.4A
SI7288DP-T1-GE3	MOS管 Dual N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=10A RDS(ON)=19mΩ@10V PowerPAK® SO-8
SI4948BEY-T1-E3	VDS=60V ID=2.4A PD=1.4W 2 P-Channel SOIC8_150MIL MOSFETs
SIHG30N60E-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=600V VGS=±30V ID=29A RDS(ON)=125mΩ@10V TO247AC
SIZ342DT-T1-GE3	MOSFETDLN-CH30VPOWERPAIR3X3
SI2303CDS-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 30 V 2.7A（Tc） 1W（Ta），2.3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SI2315BDS-T1-E3	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=3A RDS(ON)=50mΩ@4.5V SOT23-3
SI4403CDY-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 20 V 13.4A（Tc） 5W（Tc） 8-SOIC
SIE808DF-T1-E3	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±20V ID=45A RDS(ON)=1.6mΩ@10V

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