SI7898DP-T1-GE3_Vishay_威世_SO8_MOSFETs

Name: SI7898DP-T1-GE3_Vishay_威世_SO8_MOSFETs
Brand: Vishay

SI7898DP-T1-GE3 型号参数

SI7898DP-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子按摩器、 LED显示器、安防摄像头、显示器、逆变器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如扫描仪、 OLED显示屏、耳机、网络适配器、功放设备、模拟信号处理器（ASP）、变压器、电动工具等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI4848DY-T1-E3	MOSFETs N-Channel VDS=150V ID=2.7A SOIC8_150MIL
SI2301BDS-T1-GE3	MOSFET SOT23-3 P-Channel ID=2.4A
SI2312BDS-T1-GE3	MOSFETs VDS=20V ID=5A P=750mW RDS=31mΩ@4.5V N Channel SOT23-3
SI7619DN-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 30 V 24A（Tc） 3.5W（Ta），27.8W（Tc） PowerPAK® 1212-8
SI2337DS-T1-E3	MOSFETs P-Channel VDS=80V VGS=±20V ID=2.2A RDS(ON)=270mΩ@10V SOT23-3
SI2304DDS-T1-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=30V ID=3.3A SOT23
SI4848DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 150 V 2.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SOIC
IRF620PBF	通孔 N 通道 200 V 5.2A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
SI4401DDY-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=10.2A RDS(ON)=15mΩ@10V SOIC8_150MIL
SI2304BDS-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 2.6A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）

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