SIA906EDJ-T1-GE3_Vishay_威世_PowerPAK®SC70-6L_MOSFETs

Name: SIA906EDJ-T1-GE3_Vishay_威世_PowerPAK®SC70-6L_MOSFETs
Brand: Vishay

SIA906EDJ-T1-GE3 型号参数

SIA906EDJ-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如人脸识别设备、洗衣机、调制解调器、电子除湿机、电子门锁，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如整流器、电子美容仪、话筒（麦克风）、耳机、烟雾报警器、电子体温计探头、变压器、电源供应器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SIR876ADP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 100 V 40A（Tc） 5W（Ta），62.5W（Tc） PowerPAK® SO-8
IRFR430ATRPBF	表面贴装型 N 通道 500 V 5A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
IRFL014TRPBF	表面贴装型 N 通道 60 V 2.7A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
SI1317DL-T1-GE3	MOSFET SOT323 P-Channel ID=1.4A
SI2308BDS-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=2.3A RDS(ON)=156mΩ@10V SOT23-3
SQ2325ES-T1_GE3	表面贴装型 P 通道 150 V 840mA（Tc） 3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
IRFBG30PBF	MOS管 N-Channel VDS=1000V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=5mΩ@10V TO220
IRFU110PBF	通孔 N 通道 100 V 4.3A（Tc） 25W（Tc） TO-251AA
IRFD120PBF	通孔 N 通道 100 V 1.3A（Ta） 1.3W（Ta） 4-HVMDIP
SIS443DN-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=35A RDS(ON)=11.7mΩ@10V

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