SIA906EDJ-T1-GE3_Vishay_威世_PowerPAK®SC70-6L_MOSFETs

Name: SIA906EDJ-T1-GE3_Vishay_威世_PowerPAK®SC70-6L_MOSFETs
Brand: Vishay

SIA906EDJ-T1-GE3 型号参数

SIA906EDJ-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如视频线材、电子脱毛器、电动车充电器、耳机、空调，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 USB闪存盘、声卡、数码相机、智能音箱、饮水机、电子词典、逻辑分析仪、电子除螨仪等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI4848DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 150 V 2.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SOIC
SI2323DS-T1-E3	表面贴装型 P 通道 20 V 3.7A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
SI2318DS-T1-E3	表面贴装型 N 通道 40 V 3A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
SI3590DV-T1-E3	MOSFET TSOP6 N + P-Channel ID=3A，ID=2A
SI2309CDS-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 60 V 1.6A（Tc） 1W（Ta），1.7W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SIE808DF-T1-E3	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±20V ID=45A RDS(ON)=1.6mΩ@10V
SUD50P10-43L-GE3	MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.2A RDS(ON)=43mΩ@10V DPAK
SI3443CDV-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 20 V 5.97A（Tc） 2W（Ta），3.2W（Tc） 6-TSOP
SI7232DN-T1-GE3	MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=10A RDS(ON)=16.4mΩ@4.5V PowerPAK® 1212-8
SI2304BDS-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 2.6A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）

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