SIA906EDJ-T1-GE3_Vishay_威世_PowerPAK®SC70-6L_MOSFETs

SIA906EDJ-T1-GE3 型号参数

SIA906EDJ-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子脱毛器、电子按摩器、逻辑分析仪、洗衣机、电子烤箱温度计，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
SIA931DJ-T1-GE3	MOSFET PowerPAK SC70-6 Dual P-Channel ID=4.5A
IRF9540SPBF	MOSFET TO263 P-Channel ID=19A
SI4425DDY-T1-GE3	MOSFETs P-channel VDS=30V ID=19.7A SOIC8_150MIL
SIA906EDJ-T1-GE3	VDS=20V ID=4.5A PD=1.9W 2 N-Channel PowerPAK SC70-6L MOSFETs ROHS
SI7852DP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 80 V 7.6A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK® SO-8
SI2312CDS-T1-GE3	MOSFETs N沟道 20V 6A SOT23
SI7884BDP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 40 V 58A（Tc） 4.6W（Ta），46W（Tc） PowerPAK® SO-8
SI4459ADY-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=29A RDS(ON)=5mΩ@10V SOIC8_150MIL
SI2325DS-T1-E3	MOS管 P-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=530mA RDS(ON)=1.2Ω@10V SOT23-3
SIS443DN-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=35A RDS(ON)=11.7mΩ@10V

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