TT8MF_MDD_辰达半导体_TTF_整流桥

TT8MF 型号参数

TT8MF是品牌MDD辰达半导体，研发制造的整流桥产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子血压手环、移动硬盘、调制解调器、电视机、专用集成电路（ASIC），整流桥与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
GBU1010	封装:GBU 正向压降(Vf):1.1V@5A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:10A 反向电流(Ir):10uA@1kV
MB110S	封装:MBS 正向压降(Vf):850mV@1A 直流反向耐压(Vr):100V 整流电流:1A 反向电流(Ir):200uA@100V
KBPC5010	封装:KBPC-25 正向压降(Vf):1.1V@25A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:50A 反向电流(Ir):10uA@1kV
MB6F	封装:MBF 正向压降(Vf):1.1V@1A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:800mA 反向电流(Ir):5uA@600V
GBU808	封装:GBU 正向压降(Vf):1V@4A 直流反向耐压(Vr):800V 整流电流:8A 反向电流(Ir):10uA@800V
DB157	桥式整流器/整流桥 VRM=1000V，IO=1.5A，IFSM=50A，VF=1.1V，IR=10uA
KMB24F	封装:MBF 正向压降(Vf):550mV@2A 直流反向耐压(Vr):40V 整流电流:2A 反向电流(Ir):500uA@40V
GBJ3510	封装:GBJ 正向压降(Vf):1.1V@17.5A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:35A 反向电流(Ir):10uA@1kV
MB6S	封装:MBS 正向压降(Vf):1.1V@400mA 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:1A 反向电流(Ir):5uA@600V
KBP310	封装：KBP 参数：VR=60V IF=2A VF=0.70V IR=500uA

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