US1G_MDD_辰达半导体_SMA_快恢复/高效率二极管

Name: US1G_MDD_辰达半导体_SMA_快恢复/高效率二极管
Brand: MDD

US1G 型号参数

US1G是品牌MDD辰达半导体，研发制造的快恢复/高效率二极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如功放设备、电饭煲、 USB闪存盘、汽车、 OLED显示屏，快恢复/高效率二极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

快恢复/高效率二极管可应用场景，如集成电路板、智能插座、 OLED显示屏、电子按摩器、液晶显示器、电子榨汁机、 MRI扫描仪、电子罗盘等，想要了解更多快恢复/高效率二极管相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
ES3DC	封装:SMC(DO-214AB)
RS1M	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A
HER207	封装:DO-15 正向压降(Vf):1.7V@2A 直流反向耐压(Vr):800V 整流电流:2A 反向电流(Ir):5uA@800V
RS3MB	封装:SMB 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.3V@3A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:3A
ES1J	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.7V@1A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:1A
MUR460	封装:DO-201AD 正向压降(Vf):1.25V@4A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:4A 反向电流(Ir):5uA@600V
US1G	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):400V 整流电流:1A
SOD1F7	封装:SOD-123 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A
US2M	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.7V@2A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:2A
US1MF	封装:SMAF 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.65V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A

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