K4Z80325BC-HC14是品牌SAMSUNG三星半导体，研发制造的DDR SDRAM产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 稳压电源、 电子秤、 模拟信号处理器（ASP）、 X光机、 手机充电器 ，DDR SDRAM与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：K4Z80325BC-HC14
- 品牌：三星半导体(SAMSUNG)
- 分类：DDR SDRAM
- 参数：封装:FBGA-180 存储器构架(格式):SGRAMGDDR6 时钟频率(fc):2.25GHz 存储容量:8Gbit 工作温度:0℃~+95℃
应用场景
DDR SDRAM可应用场景，如 电子秤、 气体报警器、 MP4播放器、 摩托车、 电子琴、 交换机、 网卡、 电磁炉 等，想要了解更多DDR SDRAM相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| K4B2G1646F-BYMA | 封装:FBGA-96 存储器构架(格式):SDRAMDDR3L 时钟频率(fc):933MHz 存储容量:2Gbit 工作电压:1.283V~1.45V |
| K4Z80325BC-HC14 | 封装:FBGA-180 存储器构架(格式):SGRAMGDDR6 时钟频率(fc):2.25GHz 存储容量:8Gbit 工作温度:0℃~+95℃ |
| K4B4G1646E-BYMA | 封装:FBGA-96(7.5x13.3) 存储器构架(格式):SDRAMDDR3L 时钟频率(fc):933MHz 存储容量:4Gbit 工作电压:1.28V~1.45V |
| K4B4G1646E-BMMA | 封装:FBGA-96 存储器构架(格式):SDRAMDDR3L 时钟频率(fc):933MHz 存储容量:4Gbit 工作电压:1.28V~1.45V |
| K4F6E3S4HM-MGCJ | 封装:FBGA-200 存储器构架(格式):SDRAMSLPDDR4 时钟频率(fc):1.867GHz 存储容量:16Gbit 工作电压:1.7V~1.9V |
| K4RAH165VB-BCQK | 封装:- 存储器构架(格式):SDRAMDDR5 时钟频率(fc):2.4GHz 存储容量:16Gbit 工作电压:1.7V~1.9V |
| K4A8G165WC-BCTD | 封装:FBGA-96 存储器构架(格式):SDRAMDDR4 时钟频率(fc):1.333GHz 存储容量:8Gbit 工作电压:1.14V~1.26V |
| K4B4G1646E-BCNB | 封装:FBGA-96 存储器构架(格式):SDRAMDDR3 时钟频率(fc):1.066GHz 存储容量:4Gbit 工作电压:1.425V~1.575V |
| K4A8G165WB-BCRC | 封装:FBGA-96 存储器构架(格式):SDRAMDDR4 时钟频率(fc):1.333GHz 存储容量:8Gbit 工作电压:1.14V~1.26V |
| K4A4G165WE-BCRC | 封装:FBGA-96 存储器构架(格式):SDRAMDDR4 时钟频率(fc):1.2GHz 存储容量:4Gbit 工作电压:1.14V~1.26V |
