WNM2021-3/TR是品牌WILLSEMI韦尔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 气体报警器、 电子词典、 电子搅拌器、 打印机、 射频连接器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：WNM2021-3/TR
- 品牌：韦尔(WILLSEMI)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOSFETs N-Channel VDS=20V ID=0.89A RDS(on)=310mΩ SOT323
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电饭煲、 X光机、 交换机、 机器人、 智能安防摄像头、 显卡、 电子气压计、 功放器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| WNM4153-3/TR | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA 功率(Pd)：300mW |
| WNM2021-3/TR | MOSFETs N-Channel VDS=20V ID=0.89A RDS(on)=310mΩ SOT323 |
| WPM2341A-3/TR | P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.7W |
| WPM1485-6/TR | 单p通道，-12V， -7.4A，功率MOSFET |
| WNM2020-3/TR | 功率(Pd)：320mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：850mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：310mΩ 4.5V,550mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：830mA 类型：N沟道 |
| WPM1481-6/TR | P沟道 漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.4W |
| WPM3021-8/TR | WPM3021-8/TR |
| WPM2015-3/TR | 功率MOSFET 20V 2.2A 800mW 110mΩ@4.5V,2.7A 810mV@250uA P Channel SOT-23-3L |
| WNM2016A-3/TR | MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=4.7A |
| WPM3005-3/TR | MOSFETs P-Channel 30V 4.1A SOT-23-3L |
