BS170_ON_安森美_TO92-3_MOSFETs

BS170 型号参数

BS170是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子气压计、频谱分析仪、电子游戏机手柄、录像机、路由器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
NTF3055-100T1G	MOSFETs N-Channel VDS=60V ID=3A SOT223
FDB075N15A	表面贴装型 N 通道 150 V 130A（Tc） 333W（Tc） D²PAK（TO-263）
NTD6416ANLT4G	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=19A RDS(ON)=74mΩ@10V TO252
FQA140N10	通孔 N 通道 100 V 140A（Tc） 375W（Tc） TO-3PN
FDMS86101	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=12.4A RDS(ON)=8mΩ@10V PQFN8_4.9X5.8MM_EP
FQD13N10LTM	表面贴装型 N 通道 100 V 10A（Tc） 2.5W（Ta），40W（Tc） TO-252AA
NDS9948	MOS管 Dual P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=2.3A RDS(ON)=250mΩ@10V SOIC8_150MIL
NTA4001NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：238mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@4.5V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA
NDS352AP	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=900mA RDS(ON)=500mΩ@4.5V SOT23-3
NTJD5121NT1G	MOS管 Dual N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=295mA RDS(ON)=1.6Ω@10V SOT363

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