NTD6416ANLT4G_ON_安森美_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

Name: NTD6416ANLT4G_ON_安森美_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs
Brand: ON

NTD6416ANLT4G 型号参数

NTD6416ANLT4G是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电动自行车控制器、摩托车、电磁炉、电子烤箱温度计、手机充电器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如调制解调器、冰箱、摄像机、摄像头、功放设备、电子白板、扫描仪、显示器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NTK3134NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：890mA 功率(Pd)：310mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：350mΩ@4.5V,890mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA
FDN340P	表面贴装型 P 通道 20 V 2A（Ta） 500mW（Ta） SOT-23-3
FQP4N90C	通孔 N 通道 900 V 4A（Tc） 140W（Tc） TO-220-3
FQD2N60CTM	表面贴装型 N 通道 600 V 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） TO-252AA
FDN360P	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=2A RDS(ON)=80mΩ@10V SOT23-3
FDS4935BZ	MOS管 Dual P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=6.9A RDS(ON)=22mΩ@10V SOIC8_150MIL
FDN359BN	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=2.7A RDS(ON)=46mΩ@10V SOT23-3
NTMFS5C430NLT1G	MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=200A RDS(ON)=2.2mΩ@4.5V DFN5_4.9X5.9MM
FDA18N50	通孔 N 通道 500 V 19A（Tc） 239W（Tc） TO-3PN
FDMS86101DC	表面贴装型 N 通道 100 V 14.5A（Ta），60A（Tc） 3.2W（Ta），125W（Tc） 8-PQFN（5x6）

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